AHV85110针对驱动多种应用和拓扑中的GaNFET进行了优化。一个隔离式输出偏置电源集成在驱动器器件中，无需任何外部驱动辅助偏置电源或自举。这大大简化了系统设计，并通过降低总共模（CM）电容来降低EMI。它还允许在开关电源拓扑中的任何位置驱动浮动开关。该驱动器具有快速传播延迟和高峰值拉电流/灌电流能力，可在设计中驱动GaNFET。高 CMTI 与用于偏置功率和驱动的隔离输出相结合，使其成为需要隔离、电平转换或接地隔离以实现抗噪性的应用的理想选择。创芯为电子
性能特点：
直通集成隔离偏置
无外部二次侧偏压
快速响应启用引脚
持续接通能力，无需回收IN或重新充电自举电容器
参数：
50 ns传播延迟，具有5 ns的优良器件对器件匹配
单独的驱动器输出引脚：上拉（2.8Ω）和下拉（1.0Ω）
电源电压10.5 V
通过绝缘DTI的距离≥ 450微米
